반도체(13-2) 강반전, Strong inversion beyond threshold

지체없이 알아보자

 

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강반전 : Vg > Vt 의 조건. 반전 전하로 가득찬 반전층(inversion layer)이 형성된다. 

++ 문턱보다 더 커버리면 일어난다는 것이다.
//반전층의 전하 농도는 Qinv (C/cm2)으로 표현된다.

 

 

수식이 많아서.. 

밑에 그림을 보자  

 

++ 문턱 전압에서의 내용과 같이 봐야 이해될 것이다.

++Vg가 증가한다면?? pi S가 커지려고 하는데  Qinv 가 더 많이 증가하려고 한다(지수함수)

그렇지만 증가하려는 폭이 지수함수가 더 크니까?? pi S가 거의 고정된다고 볼 수 있다는 것이다. 

따라서 공핍층 폭도 거의 변화가 없다. // 식을 잘보자(문턱 전압 내용)

 

 

 

식은 유도해봐도 좋고 그냥 알아먹을 수 있어도 좋고 굿굿

 

 

 

 

 

 

 

 

 

식의 외우고 말고는 솔직히 중요하지는 않은데 이해해서 의미가 있는 것은 외울만 하다.

// 암기보다 이해가 우선이다.

 

 

 

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그런 원리구나 그렇다 치고

전하는??

 

반전전하는 어디에서 오는가?

 

반전전하는 소수 캐리어로부터 공급(드리프트)받거나, 열적으로 생성(Thermal)되거나, 다수 캐리어로부터 공급받을 수 있다.

 

공급 속도는 소수캐리어 drift (~s) < 열적 생성 (~10-6s) < 다수캐리어 drift (~10- 11s) 이다.  ->빠른 전압변동에는 다수캐리어만이 반응할 수 있음을 의미. //속도 차이 

 

실제로, MOS 트랜지스터는 다수캐리어 공급원인 N 영역을 양 쪽에 가지게 되며, 이러한 PN 접합 구조를 통해 실리콘 표면에 빠르게 반전전하를 생성시킬 수 있음.  

 

 

 

 

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항상 성립하는 식 2가지

기억해야한다!!

 

그림과 에너지 밴드 다이어그램을 관계지어서 생각할 수 있어야 하는데... 넘 어렵다. ㅠㅠ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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다 에너지 밴드 다이어그램과 관계 지어서 생각해야하는데 이게 차라리 더 쉬운 것 같다. ㅎㅎ

 

 

 

 

 

위에 charge 를 더하면 이 그래프가 나오겠지??

 

솔직히 다이어그램이 정말 많이 나오는데 다이어그램을 그릴 수 있고 뭔지 알아야한다.  복습하자 ㅎㅎ